1、求助ESD脉冲仿真方法，有的通过2000V上升时间为10ns的电源脉冲与100pf电容1500Ω电阻，再与ESD電路串联来仿真，有的直接加較低電压的10ns上升脈冲，还有的加的是例如，2.4v and 5v ESD like voltage pules with 2 ns rise time are applied to the vdd terminal, with the vss terminal grounded. 到底哪种比较靠谱啊
2，論文里的电路普遍加上ESD脉沖后VDD上的电压明显超过改电源電压下所使用管子的耐压极限，這怎么回事，如1.8v电源电压的电路，但是加上ESD脉冲后VDD会高至5V，这合理吗？ps:用的是.18工藝